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IRF6655TR1| MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
| Power - Max | 2.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 25µA |
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电子元件制造商
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品牌 : STMicroelectronics
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型号 : TMS320F2812PGFAG4
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