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IPB021N06N3GATMA1| MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

IPB021N06N3GATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 275nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 23000pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 196µA
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