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IPI023NE7N3 G| MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

IPI023NE7N3 G

描述 :   MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 206nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 14400pF @ 37.5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 300W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA
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