网站首页 > 产品> BSS816NW L6327

BSS816NW L6327| MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

BSS816NW L6327

描述 :   MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Supplier Device Package PG-SOT323-3
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 3.7µA
  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • vishay semiconductor

      日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出专门为串接太阳能逆变器和中功率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay Semic...

  • atmel 9g45开发板

      通用嵌入式微控制器在片上使用丰富的外设配合中央处理单元与外部环境进行交互,设计芯片的硬件工程师为了满足不同的通信需求,设计了不同的外设模...

  • microchip atmel

      据《纽约时报》报道,美国芯片制造商微芯科技(Microchip Technology)宣布以36亿美元收购同行Atmel,在半导体行业再掀并购浪潮。芯片制造商们一...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9