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SPS01N60C3| MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

SPS01N60C3

描述 :   MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 100pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Power - Max 11W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
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