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IPI80CN10N G| MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

IPI80CN10N G

描述 :   MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 716pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 31W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 12µA
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