网站首页 > 产品> IPI80CN10N G

IPI80CN10N G| MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

IPI80CN10N G

描述 :   MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 716pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 31W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 12µA
  • xilinx仿真

      数字集成电路作为当今信息时代的基石,不仅在信息处理、工业控制等生产领域得到普及应用,并且在人们的日常生活中也是随处可见,极大的改变了人们...

  • vishay m7

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54E...

  • vishay ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布用于红外遥控应用的新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP39xxx和TSOP59xxx系列。Vishay S...

  • maxim半导体

      中国LED厂商崛起让LED彻底进入照明产业,它的半导体产业特征越来越薄弱,同时LED释放大量的高端人力。2017年3月6日消息,美信半导体(Ma...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9