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IPI60R250CPAKSA1| MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

IPI60R250CPAKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 104W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
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