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IPI100P03P3L-04| MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9300pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Power - Max | 200W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 475µA |
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