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IPD33CN10NGBUMA1| MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

IPD33CN10NGBUMA1

描述 :   MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1570pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 58W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 29µA
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