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IPB80N06S2L09ATMA1| MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 190W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 52A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
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