网站首页 > 产品> IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1| MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

IPB147N03LGATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1000pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 31W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.7 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
  • maxim单片机

      Integrated Products, Inc. (NASDAQ: MXIM)宣布MAX32600MBED成为ARM® mbed™物联网设备平台项目的最新成员,该平台能够...

  • atmel can

      MYC-JA5D2X核心板的推出源于米尔科技在ATMEL平台多年的积累,配合之前推出的MYC-SAMA5D4X核心板、MYC-SAMA5D3核心板...

  • microchip收购atmel

      微芯科技(Microchip)收购爱特梅尔(Atmel)之举,让微控制器(MCU)市场的前三大供应商排名在最近几个月内再度重新洗牌。  过去两年来这一波前...

  • vishay红外接收头

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布用于红外遥控应用的新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP39xxx和TSOP59xxx系列。Vishay S...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9