网站首页 > 产品> SPB80N10L G

SPB80N10L G| MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

SPB80N10L G

描述 :   MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4540pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA
  • altera开发

      Terasic Technologies是Altera的重要设计服务网络合作伙伴。Atlas-SoC开发套件专为嵌入式软件开发人员而设计,其功能在于启动Linux、运行网...

  • maxim公司

      MAX77650和MAX77651具有单电感多输出调节器和充电器,理想用于小尺寸锂离子电池的优化  Maxim推出MAX77650/MAX77651电源管理IC ...

  • vishay 陶瓷电容

      日前,Vishay宣布推出通过AEC-Q200认证的,用于电动和插电式混合动力汽车的交流线路的新系列圆片陶瓷安规电容器---AY2系列。  新的Vish...

  • 钽电容 vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于空间受限的消费电子产品的新系列模塑MICROTAN®片式钽电容器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9