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SPB80N10L G| MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

SPB80N10L G

描述 :   MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4540pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA
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