网站首页 > 产品> SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1| MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

SPB20N60S5ATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 208W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
  • avago 编码器

      Avago Technologies日前宣布推出市场上分辨率最高的霍尔效应磁性编码器。新款AEAT-6600-T16编码器具有强大的性能,可为严苛的工业应用运行...

  • atmel收购

      半导体业购并风潮不断,但购并后的产品线与组织调整,才是购并后能否成功的关键。微芯(Microchip)在2016年4月完成对爱特梅尔(Atmel)的收购案,如...

  • vishay公司

    威世半导体(Vishay Semiconductors)整合了过去的威世特洛芬肯(Vishay Telefunken)、过去的通用半导体(General Semiconductor)的生产线、英...

  • xilinx开发板

      SDN可以划分为三层,中间是控制器,用于接收控制指令来操作下面设备的程序,上层是应用App,负责调用控制器提供的接口和数据来实现各种功能,...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9