网站首页 > 产品> IPI45N06S3-16

IPI45N06S3-16| MOSFET N-CH 55V 45A TO-262

IPI45N06S3-16

描述 :   MOSFET N-CH 55V 45A TO-262

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2980pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 65W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.7 mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
  • atmel处理器

      电池已经是移动设备的致命弱点,我们多数人都已经习惯了在每天睡觉之前都给自己的智能手机充电,否则第二天就会遭遇电量不够的尴尬。而不仅是智能...

  • 回收vishay芯片

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器...

  • ir vishay

      推出的器件的接近探测距离从10厘米到2米,从最低到最高灵敏度的动态范围超过4。作为接近传感器使用时,TSSP4056适合探测物体的距离,可用于玩...

  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9