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SPD02N60C3BTMA1| MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power - Max | 25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
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