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SPD02N60C3BTMA1| MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

SPD02N60C3BTMA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 200pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 80µA
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电子元件制造商

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