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IRFU9N20D| MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

IRFU9N20D

描述 :   MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 560pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power - Max 86W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
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