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SSM6J511NU,LF| MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

SSM6J511NU,LF

描述 :   MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3350pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1 mOhm @ 4A, 8V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
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