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HS56021TZ-E| MOSFET

HS56021TZ-E

描述 :   MOSFET

品牌 :   Renesas Electronics America

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 84pF @ 25V
Mounting Type *
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package TO-92MOD
Vgs(th) (Max) @ Id -
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