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HS56021TZ-E| MOSFET
HS56021TZ-E
描述 : MOSFET
品牌 : Renesas Electronics America
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 84pF @ 25V |
| Mounting Type | * |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
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