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PMPB12UN,115| MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

PMPB12UN,115

描述 :   MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 886pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Power - Max 1.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Supplier Device Package 6-DFN2020MD (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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