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2N6849U| MOSFET P-CH 100V 18-LCC
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 18-BQFN Exposed Pad |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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