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2N6849U| MOSFET P-CH 100V 18-LCC

2N6849U

描述 :   MOSFET P-CH 100V 18-LCC

品牌 :   Microsemi Corporation

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 18-BQFN Exposed Pad
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package 18-ULCC (9.14x7.49)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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电子元件制造商

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