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SI7860DP-T1-E3| MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI7860DP-T1-E3
描述 : MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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