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RP1E090XNTCR| MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

RP1E090XNTCR

描述 :   MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 440pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package MPT6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
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电子元件制造商

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