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FDN359BN| MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

FDN359BN

描述 :   MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 460mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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