网站首页 > 产品> FDN359BN

FDN359BN| MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

FDN359BN

描述 :   MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 460mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • xilinx 开发板

      在近期举办的嵌入式视觉大会上,来自Xilinx合作伙伴安富利(Avnet)的高级FPGA/DSP设计工程师Mario Bergeron向大家展示了一款双摄像头采...

  • vishay 传感器

      近日,Vishay Intertechnology宣布,推出新的高灵敏度接近和环境光传感器--- VCNL4200。该传感器采用Filtron技术,探测距离达到1.5米,使用...

  • vishay标志

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的新系列功率MiniLED-...

  • avago 光模块

      针对有线,无线,存储以及工业应用的模拟接口器件供应商Avago安华高科近日推出其针对高速数据中心应用的40G单纤双向多模光纤QSFP+光模块AF...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9