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FDN308P| MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

FDN308P

描述 :   MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 341pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 460mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
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