网站首页 > 产品> FDN359BN

FDN359BN| MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

FDN359BN

描述 :   MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 460mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay半导体

      全球电子元件分销商 e络盟将Vishay 2016 Super12元件纳入当日发货产品阵列。该电子元件系列聚焦Vishay最具创新的半导体和无源元件,包括电阻、...

  • avago 编码器

      Avago Technologies日前宣布推出市场上分辨率最高的霍尔效应磁性编码器。新款AEAT-6600-T16编码器具有强大的性能,可为严苛的工业应用运行...

  • altera fpga管脚

      嵌入式开发人员的需求在于提高系统性能,降低系统功耗,减小电路板面积以及降低系统成本。Altera SoC FPGA为此做出不小的进步,在此基础上...

  • vishay和ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9