网站首页 > 产品> BS108ZL1G

BS108ZL1G| MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

BS108ZL1G

描述 :   MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

品牌 :   ON Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 150pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Power - Max 350mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 100mA, 2.8V
Supplier Device Package TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
  • altera 封装

      Altera公司全球营运及工程副总裁Bill Mazotti表示:「台积公司提供了一项非常先进且高度整合的封装解决方案来支援我们的Arria 10元件,此项产...

  • vishay 光耦

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出带有光电晶体管输出的两个新系列4pin、低交流输入电流的光耦---VO...

  • bc vishay

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

  • xilinx产品线

      All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )今天宣布推出Zynq-7000系列的最新成员-Zynq™...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9