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SI6473DQ-T1-E3| MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

SI6473DQ-T1-E3

描述 :   MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Power - Max 1.08W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
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电子元件制造商

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