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NTB6412ANT4G| MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

NTB6412ANT4G

描述 :   MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3500pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 167W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2 mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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