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PHD18NQ10T,118| MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
PHD18NQ10T,118
描述 : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
品牌 : NXP Semiconductors
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power - Max | 79W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
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电子元件制造商
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