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2SK3906(Q)| MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
2SK3906(Q)
描述 : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
品牌 : Toshiba Semiconductor and Storage
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4250pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 150W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
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