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NTLJD3182FZTBG| MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

NTLJD3182FZTBG

描述 :   MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Diode (Isolated)
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 450pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Power - Max 710mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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电子元件制造商

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