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SI6463BDQ-T1-GE3| MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI6463BDQ-T1-GE3
描述 : MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Power - Max | 1.05W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
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