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SIB412DK-T1-GE3| MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

SIB412DK-T1-GE3

描述 :   MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 535pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L
Power - Max 13W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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