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SI5402BDC-T1-E3| MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

SI5402BDC-T1-E3

描述 :   MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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