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SI2309DS-T1-E3| MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
SI2309DS-T1-E3
描述 : MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
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