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SI1065X-T1-E3| MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

SI1065X-T1-E3

描述 :   MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 480pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 236mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Supplier Device Package SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
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