网站首页 > 产品> PHD34NQ10T,118

PHD34NQ10T,118| MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

PHD34NQ10T,118

描述 :   MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1704pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 136W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
  • vishay 独石电容

      发布的电容器适合高性能电子设备,包括雷达系统、航空及航天电子等设备中DC/DC转换和功率分配。为保证在这些安全攸关应用中的性能,器件按照M...

  • vishay tvs

      Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超薄DO-214AA封装的新系列表面贴装TransZorb®瞬态电压抑制器(TVS)...

  • vishay收购ir

      Vishay公司作出一项非约束性收购计划,即耗资16亿美元来收购IR公司(InternationalRectifier)的股票。如果该项交易通过的话,收购将强化Vish...

  • atmel 8051

      89C51受到了PIC单片机阵营的挑战,89C51最致命的缺陷在于不支持ISP(在线更新程序)功能,必须加上ISP功能等新功能才能更好延续MCS-5...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9