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PHD34NQ10T,118| MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

PHD34NQ10T,118

描述 :   MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1704pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 136W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
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