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FQB4N90TM| MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

FQB4N90TM

描述 :   MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1100pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 3.13W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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电子元件制造商

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