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FDW258P| MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 73nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5049pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Power - Max | 600mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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