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STU10NM65N| MOSFET N-CH 650V 9A IPAK

STU10NM65N

描述 :   MOSFET N-CH 650V 9A IPAK

品牌 :   STMicroelectronics

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 850pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power - Max 90W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package I-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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电子元件制造商

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