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IPP65R110CFDAAKSA1| MOSFET N-CH 650V TO-220-3

IPP65R110CFDAAKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V TO-220-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 118nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3240pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 277.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
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