网站首页 > 产品> IPW65R190CFDAFKSA1

IPW65R190CFDAFKSA1| MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

IPW65R190CFDAFKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1850pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 151W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 700µA
  • altera控制卡

      Mentor Graphics Corp今天宣布,革新的定制逻辑解决方案领导者Altera公司已经采用Veloce ®仿真器平台,以实现针对其下一代产品的快速验证。...

  • vishay / dale

      发布的这颗带三个传感pin脚的电阻采用了独有的加工工艺,实现了50µΩ、100µΩ和125µΩ的极低阻值。低阻值使电阻能测量出更准确的数据,用来判断...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

  • vishay 薄膜电容

      Vishay展示的器件包括牛角式和螺栓式功率铝电解电容器、低压金属化薄膜电容器,以及用于功率电子和功率校正控制器的DC-link和交流滤波电容器。...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9