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IPD85P04P4L06ATMA1| MOSFET N-CH TO252-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6580pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power - Max | 88W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 85A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
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