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IPU60R1K4C6AKMA1| MOSFET N-CH 600V TO-251-3

IPU60R1K4C6AKMA1

描述 :   MOSFET N-CH 600V TO-251-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 200pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power - Max 28.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
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