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BSZ180P03NS3EGATMA1| MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
BSZ180P03NS3EGATMA1
描述 : MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2220pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power - Max | 2.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 48µA |
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