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GA50JT06-258| TRANS SJT 600V 100A

GA50JT06-258

描述 :   TRANS SJT 600V 100A

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type Junction Transistor, Normally Off
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 225°C (TJ)
Package / Case TO-258-3, TO-258AA
Power - Max 769W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 50A
Supplier Device Package TO-258
Vgs(th) (Max) @ Id -
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