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GA50JT06-258| TRANS SJT 600V 100A
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | Junction Transistor, Normally Off |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-258-3, TO-258AA |
| Power - Max | 769W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Supplier Device Package | TO-258 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
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